Memory_Benchmark例程及CCS操作对测试结果的影响 - TMS320C6748 - 嵌入式开发者社区 - 51ele.net
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[未解决] Memory_Benchmark例程及CCS操作对测试结果的影响

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发表于 2019-6-14 14:35:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 sunny_sweet 于 2019-6-14 14:42 编辑

在测试Memory_Benchmark例程时发现一个问题,针对CCS不同的操作运行结果不同
操作1:修改main文件中数据size大小-Rebuild-Debug-运行直接看结果
操作2:修改size大小-Rebuild-Debug-重新加载.out文件-运行看结果
结果如下,操作1中L2RAM速率明显低于操作2中L2速率,请问为什么会这样?操作1中虽然没有重新加载out文件,但是可以根据memory分配看出文件是修改后的新文件

另外请问,这里读写数据都用的memcpy函数,可以用这个函数直接往DDR2写数据么?
谢谢!



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创龙

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发表于 2019-6-17 17:02:18 | 显示全部楼层
可以用memcpy函数直接往DDR2写数据,但是最高效的方式是用EDMA3。
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 楼主| 发表于 2019-6-17 17:36:20 | 显示全部楼层
广州创龙莫工 发表于 2019-6-17 17:02
可以用memcpy函数直接往DDR2写数据,但是最高效的方式是用EDMA3。

谢谢莫工回复~
请问为什么相同代码、不同的操作流程会导致L2速率明显不一致呢?
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