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标题: Memory_Benchmark例程及CCS操作对测试结果的影响 [打印本页]

作者: sunny_sweet 时间: 2019-6-14 14:35
标题: Memory_Benchmark例程及CCS操作对测试结果的影响
本帖最后由 sunny_sweet 于 2019-6-14 14:42 编辑

在测试Memory_Benchmark例程时发现一个问题，针对CCS不同的操作运行结果不同
操作1：修改main文件中数据size大小-Rebuild-Debug-运行直接看结果
操作2：修改size大小-Rebuild-Debug-重新加载.out文件-运行看结果
结果如下，操作1中L2RAM速率明显低于操作2中L2速率，请问为什么会这样？操作1中虽然没有重新加载out文件，但是可以根据memory分配看出文件是修改后的新文件
[attach]5195[/attach]
另外请问，这里读写数据都用的memcpy函数，可以用这个函数直接往DDR2写数据么？
谢谢！

作者: 广州创龙莫工 时间: 2019-6-17 17:02
可以用memcpy函数直接往DDR2写数据，但是最高效的方式是用EDMA3。

作者: sunny_sweet 时间: 2019-6-17 17:36

广州创龙莫工发表于 2019-6-17 17:02
可以用memcpy函数直接往DDR2写数据，但是最高效的方式是用EDMA3。

谢谢莫工回复~
请问为什么相同代码、不同的操作流程会导致L2速率明显不一致呢？

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