缓存可以通过代码使能吗？还是只能通过配置文件配置？

lushidegreen

我现在做的项目需要快速读写SD卡，《2-TMS320C6748开发例程使用手册.pdf》中6.20节提到，使能缓存可以提高SD卡读写速度。如果要使能缓存，应该怎么做？

在USB MSC例程中看到如下代码：
        CacheEnableMAR((unsigned int)0xC0000000, (unsigned int)0x20000000);
        CacheEnable(L1DCFG_L1DMODE_32K | L1PCFG_L1PMODE_32K | L2CFG_L2MODE_256K);

请问，这样就是使能缓存吗？

还有，在《2-TMS320C6748开发例程使用手册.pdf》中6.20节有如下描述：

如何对128k L3 RAM及128MB DDR2使能缓存呢？
例程使用手册只是做了简单的描述，没有说明具体的操作。我在例程代码中也没有发现类似于CacheEnable(...)的代码.


恳请请大神指导！！

电子微创意

坐等答案

希望缄默

SYS/BIOS 有专用的缓存管理 API
参考 LCD_TOUCH 例程

lushidegreen

希望缄默 发表于 2016-3-6 14:12
SYS/BIOS 有专用的缓存管理 API
参考 LCD_TOUCH 例程

看了LCD_TOUCH和MP3Decode_SD，在配置文件app.cfg中有缓存配置。
左边的L1 L2配置看得懂，右边的MAR看不太懂。



由于缓存这块确实没用过，而且又很重要，还请详细说明
我的目的就是提高SD卡的读写速度。

希望缄默

lushidegreen 发表于 2016-3-8 09:07
看了LCD_TOUCH和MP3Decode_SD，在配置文件app.cfg中有缓存配置。
左边的L1 L2配置看得懂，右边的MAR看不太 ...

参阅 TI 文档

lushidegreen

能否直接回答我的问题？
给我这个资料我也解决不了，缓存操作太底层了。